Разработка ученых из Красноярского научного центра СО РАН и их коллег из других городов открывает новые возможности для хранения, передачи и обработки информации, а также создания новых типов запоминающих устройств, процессоров и коммуникационных систем.
О создании нового материала рассказала пресс-служба Красноярского научного центра СО РАН со ссылкой на публикацию с результатами исследования в журнале physica status Solidi — Rapid Research Letters.
Стабильный ферромагнитный графен ученые получили, добавив к нему атомы магнитных металлов — таких как кобальт и железо. Их внедрили в графен, выращенный на карбиде кремния. Получился новый материал, который сохраняет свои ферромагнитные свойства, то есть поддерживает намагниченность даже в отсутствие внешнего магнитного поля. Кроме этого, он сохраняет свои свойства при комнатной температуре, а значит при его использовании не будет необходимо дополнительное охлаждение.
По словам Антона Тарасова, кандидата физико-математических наук, заведующего лабораторией радиоспектроскопии и спиновой электроники Института физики им. Киренского СО РАН, создание ферромагнитного графена открывает новые возможности для хранения, передачи и обработки информации, создания новых типов запоминающих устройств, процессоров и коммуникационных систем. Благодаря своей намагниченности ферромагнитный графен позволит хранить больше информации на меньшей площади и создавать более компактные и быстрые электронные устройства.
«Результаты исследования также важны для понимания фундаментальных физических процессов, в частности, магнитных явлений, происходящих в графене и других двумерных материалах. Эти знания помогут в создании более сложных систем с уникальными физическими свойствами», — также рассказал он.
В исследовании принимали участие ученые из Красноярского научного центра СО РАН, а также специалисты из Санкт-Петербургского государственного университета, Сибирского федерального университета, Национального исследовательского центра «Курчатовский Институт», Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Института катализа имени Г. К. Борескова СО РАН.
